【導讀】隨著人工智能與數據中心技術的飛速發展，服務器電源市場正迎來爆發式增長，預計相關模擬芯片市場規模將從數億元躍升至數十億級別。作為國產隔離芯片的領軍者，納芯微明確將服務器電源確立為2026年的核心應用賽道之一。依托“隔離+”戰略生態，納芯微已成功構建起從UPS、AC/DC PSU到DC/DC板級的全產業鏈覆蓋，憑借在隔離技術上的深厚積累與全產品組合優勢，正致力于解決服務器電源在高功率密度、高可靠性及復雜架構下的關鍵痛點，為國內服務器產業提供一站式國產化解決方案。
為服務器提供一站式方案
鄭仲謙向EEWorld介紹，目前，在服務器領域，納芯微已形成從UPS、AC/DC PSU到DC/DC板級的全產業鏈產品覆蓋。僅在PSU領域，公司產品規格已達到國際主流水平，并在PSU等多個細分市場取得較高的市場份額。
納芯微正依托隔離、功率、功率驅動、傳感器、電源管理、信號鏈及MCU等豐富的產品組合，為服務器提供完整的解決方案。
回看納芯微的歷史，隔離芯片是其國產化破局的起點。在泛能源領域，納芯微憑借“隔離+”解決方案已建立起領先優勢。此處“+”有三層含義：一是增強絕緣、增強安全，二是以投入多年迭代的電容隔離技術IP為核心建立全產品生態，三是深度賦能應用。
那么，“隔離+”能否幫助納芯微在服務器領域站穩腳跟？答案是肯定的。鄭仲謙強調，隔離及“隔離+”相關產品，是當前國內廠商在服務器電源領域能參與的重要市場。當前，納芯微正與客戶保持密切協作，依托現有技術平臺，持續迭代優化產品，將“隔離+”的優勢轉化為更堅實的市場根基。
“當前市場上熱度較高的是VCORE供電、POL（負載點）DC電源等，這是因為國內在這些領域的技術相對欠缺，廠商紛紛加速布局。但VCORE供電的技術定義主要取決于主芯片廠商，目前國內AI服務器電源的主芯片多為英偉達提供，國內廠商在系統設計和應用協同方面參與難度較大，而參與服務器電源產業鏈中的PSU、UPS及二級DC電源供電的國內廠商較多，這也是納芯微重點布局該領域的原因?！?/p>
隔離電源：主推NSIP9xxx、NSIP3266兩款產品
納芯微技術市場經理譚園介紹，隔離電源就是提供隔離供電的電源IC，通過變壓器線圈來實現供電隔離。隔離器件的目的是實現原副邊的信號隔離，如果供電電源不是隔離的，整個子電路就無法實現真正的電氣絕緣，隔離也就失去了意義。
隔離電源可分為分立式和集成式兩類，兩者的主要區別在于變壓器是否集成在芯片內部。雖然長期來看，集成化是趨勢，PCB可以做得非常小，但技術和成本上需要長期的迭代和優化，因此當下兩種方案在服務器中都不可或缺，在應用上具有互補性。
納芯微的“隔離+”可以覆蓋到集成式方案，也可以覆蓋到分立式方案。
首先在集成產品方面，納芯微重點介紹了全新量產的NSIP9xxx系列，該系列為5V轉5V、0.5W功率，可集成IO接口與隔離接口，深受對功率密度、板級空間有嚴格限制且注重可靠性的客戶青睞。主要應用場景包括對外隔離接口供電、IO口供電，例如PC PSU的對外通信、BBU與BMS之間的通信等場景。
NSIP9xxx系列有四點優勢：一是小型化，集成變壓器、IO、數字隔離器及LDO等，體積僅為傳統方案的1/10；二是高可靠性，由于采用半導體設計和工藝，相比外置變壓器，避免線圈細、失效率高、運輸震動、額外設計盲埋孔等問題；三是EMC性能好，與同形態方案相比，RE性能表現優異；四是產品本身特性好，安規認證齊全，具備增強絕緣證書，VOSM達到10kVpk，VIORM達到1500Vpk，提供AEC-Q100認證的車規物料，全國產供應鏈，封裝是 SOW16（有P2P）。
具體到產品，NSIP93086集成隔離RS485接口與0.5W閉環控制DC/DC，提供SOW16和SOW20兩種封裝，尺寸緊湊，功能豐富，對于需要隔離RS485接口、困擾于供電方案、希望控制板級尺寸、降低BOM成本和失效點的客戶，這款產品是理想選擇； NSIP9042則集成隔離CAN接口與0.5W DC電源，同樣提供16腳、20腳兩種緊湊封裝。兩款芯片均采用集成數字隔離器、接口、電源三合一的設計，相比某些傳統設計可將PCB面積降低至少三分之二，高度更是僅為主流電源模塊的五分之一，大大降低了占板空間。
其次在分立產品方面，納芯微重點介紹了NSIP3266，該產品為隔離驅動提供了一種簡潔、低成本、易設計的供電方案，內置全橋拓撲控制器，外部搭配變壓器組成開環方案。隨著功率級拓撲路數增加，驅動供電的復雜度也隨之上升，如何以簡潔、低成本的方式實現一帶多的供電架構，成為行業面臨的挑戰。NSIP3266正是針對這一需求而設計。
NSIP3266主要應用在12V、48V低壓應用和AC/DC、PFC、PSU等環節。值得一提的是，隔離驅動供電架構主要包括四種，其中半分布式是NSIP3266的核心應用場景。
NSIP3266優勢包括五點：一是耐壓范圍寬，對前級電源限制??；二是內置軟啟動功能，客戶無需通過MCU實現軟啟動，且可省去副邊限流電阻；三是集成晶振，開關頻率由芯片通過RT引腳自主控制，無需MCU干預，無需與MCU進行長距離走線，不占用MCU IO口資源，即使MCU出現故障也不影響供電芯片工作；四是具備欠壓、過流、過溫等常規保護功能，且均設計為自恢復模式，僅保護芯片自身而不關機，避免瞬態過流等非致命問題導致驅動供電中斷；五是電路設計簡潔，Demo測試中效率表現優異。
隔離采樣：主推NSI36xx、NSI1611、NSI22C12三款產品
納芯微技術市場經理劉舒婷介紹，隔離采樣既是防止高壓串擾的“安全哨兵”，也是確保控制側獲取及時準確數據的“信號橋梁”，它能夠保護低壓控制側不受干擾，保證安全、準確地采集高壓側信號并傳輸至低壓側。在服務器電源中，如果沒有隔離采樣，可能導致系統誤觸發、器件損壞甚至安全事故。
根據隔離采樣位置不同，納芯微的產品分為三類：隔離電壓采樣、隔離電流采樣、用作保護的隔離比較器。
首先是隔離電壓采樣領域。
“目前服務器電源功率越來越高，對于采樣點的需求逐漸增多，集成方案對于PCB面積的節省和設計的簡化意義是巨大的。”劉舒婷強調，納芯微發現，客戶使用上一代王牌產品NSI1311時需為原邊和副邊分別配備隔離電源。結合對實際應用場景的深刻理解，為了幫助客戶更好地在浮地采樣等無可用隔離電源場景下簡化系統設計，縮小系統尺寸，為此，納芯微發布了集成隔離電源的NSI36xx系列。
NSI36xx系列僅需在低壓側提供單一電源即可正常工作，省去復雜的高壓側供電電路，降低了電源設計復雜度，節省30%~50%的板級面積，同時可降低10%~20%整體BOM成本。
NSI36CXXR則是NSI36xx系列的差異化新品，集成了內部隔離比較器和差分轉單端運放，可在百納秒級時間內檢測異常狀況并觸發保護機制，大幅提升系統安全性和可靠性；新增比例輸出架構可直接與后級ADC匹配，減少信號調整電路的設計需求，降低設計成本和資源投入，同時充分利用后級ADC的滿量程，提升系統采樣精度。
其次是面向高壓演進趨勢的電壓采樣新品。
“當前服務器電源逐漸向800V系統演進，面對更高壓的系統拓寬芯片輸入范圍的設計，行業需要更高的系統級采樣精度?！眲⑹骀帽硎荆瑸榇思{芯微最新發布了0~4V輸入隔離電壓采樣運放NSI1611。
NSI1611的寬壓輸入帶來兩大系統級優勢：一是對地抗擾能力提升，將輸入地干擾視為小型電壓源、輸入范圍擴大一倍后，相同擾動電壓的影響減小一半，抗擾動能力自然增強；二是在維持高阻輸入的同時，拓寬輸入范圍，有助于提升系統采樣精度，相比老款NSI1311，NSI1611在0-600V系統中，尤其是中低壓側，精度提升顯著。
在輸入形式上，NSI1611提供單端輸出與比例輸出兩種模式可選。比例輸出版本可將后級參考電壓直接接入芯片的Reference引腳，芯片內部自動完成差分至單端轉換及簡易自適應放大，從而幫助客戶充分利用后級ADC的滿量程，有效提升整體采樣精度。
最后是隔離比較器方案。
“當前，客戶在進行服務器諧振腔的過流采樣時，大多采用CT方案或分立器件方案。然而，CT方案本身占用體積較大，且輸入端需要添加額外的調理電路，不僅增加了系統成本，也占用了更多PCB面積。而在DC負載的過流保護方面，許多客戶采用普通比較器搭配高速光耦或數字隔離器所構成的分立方案。”劉舒婷表示，納芯微的隔離比較器NSI22C12作為單芯片方案，集成度更高，可有效替代CT方案和分立方案
NSI22C12最核心的優勢是保護延時極快，最大僅250納秒，這是其他方案無法比擬的。此外，服務器電源系統對于故障檢測的可靠性要求更高，NSI22C12具有的快速的過壓過流檢測能力，同時檢測電路具有優越的隔離性能，幫助客戶實現安全可靠的系統控制。
從配置來看，NSI22C12集成窗口比較器，支持正負閾值設定；集成內部隔離通道，比較后可直接輸出隔離數字信號；高壓側集成高壓LDO，供電范圍從原來的3.5V~5V拓展至3.1V~27V，可直接接入驅動供電，使用簡單高效；內置精度較高的外接引腳電流源，通過該引腳對地接電阻即可實現高精度閾值可調，根據閾值范圍不同，可設置為過流保護芯片或過壓/過溫保護芯片。
不斷探索新機遇
當下，AI服務器電源的架構仍在演進，新需求和新機會持續涌現。鄭仲謙表示，隨著功率、效率、母線電壓提升及架構調整，高壓適配與新隔離需求增多，不少場景暫無成熟方案，核心痛點是如何簡潔高效實現多路供電。同時，第三代半導體高壓 GaN和SiC的發展，也推動驅動、供電等隔離技術與IC產品迭代。
根據納芯微的觀察，客戶核心需求主要來自電源架構轉型與器件升級適配，因此，未來，技術路線聚焦兩大方向：一是緊跟架構變化，與頭部客戶合作，針對無成熟方案場景做定制化解決方案；二是結合第三代半導體發展，迭代驅動、供電等產品，提升適配性。
針對AI服務器電源，納芯微正持續探索下一代產品的迭代方向與新機遇，包括：
面向800V架構，開發更高帶寬、更高精度的電流傳感器；
在800V后BCD電源模塊，布局GaN與硅基方案；
提升三種采樣技術的采樣精度與帶寬；
圍繞AI高功耗與供電架構演變，在CPU、BBU、固態變壓器（SST）等領域拓展模擬芯片機會。
