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80W甲類功率放大器的設(shè)計(jì)
這部功放的輸入級(jí)是一對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管，優(yōu)點(diǎn)是輸入阻抗高，動(dòng)態(tài)范圍大和噪聲低。輸入級(jí)還加有高頻濾波網(wǎng)絡(luò)，以便將一些不必要的高頻噪音濾掉，提高信噪比。現(xiàn)今大功率功放使用的電源電壓都比較高，輸出管驅(qū)動(dòng)電流也比較大，推動(dòng)級(jí)的功耗相當(dāng)可觀。這也就是高級(jí)功放的推動(dòng)級(jí)選用中功率及大功率管井加散熱...
2012-10-25
甲類功率放大器 功率放大器 放大器
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可以在負(fù)的大電壓下檢測(cè)電流的放大器電路
在電信和其它使用高電壓負(fù)電源軌的場(chǎng)合，可將一個(gè)儀表放大器與獨(dú)立元件簡(jiǎn)單結(jié)合，實(shí)現(xiàn)大電流檢測(cè)以保護(hù)電路。高端大電流檢測(cè)放大器（CSA）主要用于正電源軌電流監(jiān)測(cè)。然而，諸如ISDN和電信電源類應(yīng)用需要采用工作在負(fù)電源軌的CSA。設(shè)計(jì)負(fù)電源軌CSA的一種方法是使用一個(gè)精密儀表放大器IC和幾個(gè)分立元...
2012-10-25
檢測(cè)電流 放大器 電信
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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第三代逆導(dǎo) （RC） 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 （IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-25
英飛凌 IGBT 逆導(dǎo)IGBT
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自適應(yīng)防雷技術(shù)工作原理詳解
浪涌保護(hù)日益重要，但就目前的浪涌防護(hù)技術(shù)來(lái)講還是有很多問(wèn)題的，例如不能準(zhǔn)確選擇相應(yīng)電壓等級(jí)的浪涌防護(hù)器。歐申公司的自適應(yīng)防雷技術(shù)就可以解決這一問(wèn)題。
2012-10-25
自適應(yīng)防雷 AEM
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旁路電容設(shè)計(jì)的13條規(guī)則
考慮到了電路布局對(duì)性能的所有可能的影響，設(shè)計(jì)人員可以做些什么來(lái)確保版圖避免振蕩、失真和總體信號(hào)質(zhì)量低下呢？下面的基本版圖和旁路電容設(shè)計(jì)指南“設(shè)計(jì)規(guī)則13條”可能頗有裨益。
2012-10-24
旁路電容 電容 振蕩
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功率型NTC如何抑制浪涌電流
功率型NTC抑制浪涌電流的原理：在電子電路電源部分（LED驅(qū)動(dòng)板，熒光燈換流器，加熱器等），開(kāi)機(jī)的瞬間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)比正常工作電流高出百倍的浪涌電流。
2012-10-24
NTC 浪涌電流 電路保護(hù)
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D類功放和與AB類功放優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比
“數(shù)字功放”的基本電路是早已存在的Ｄ類放大器（國(guó)內(nèi)稱丁類放大器）。以前，由于價(jià)格和技術(shù)上的原因，這種放大電路只是在實(shí)驗(yàn)室或高價(jià)位的測(cè)試儀器中應(yīng)用。這幾年的技術(shù)發(fā)展使數(shù)字功放的元件集成到一兩塊芯片中，價(jià)格也在不斷下降。理論證明，Ｄ類放大器的效率可達(dá)到100％。然而，迄今還沒(méi)有找到理想...
2012-10-24
D類功放 AB類功放 數(shù)字功放
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半導(dǎo)體三極管技術(shù)參數(shù)分析
中國(guó)、印度等新興市場(chǎng)的成長(zhǎng)將帶動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品如LCD TV、筆記本電腦、臺(tái)式電腦、雙模數(shù)碼相機(jī)（DSC）、手機(jī)，汽車電子，智能手機(jī)等終端產(chǎn)品需求量上升的強(qiáng)大助力，而3G建設(shè)等新產(chǎn)品新行業(yè)的的快速發(fā)展，進(jìn)而帶動(dòng)上游半導(dǎo)體三極管的市場(chǎng)成長(zhǎng)，給電子行業(yè)帶來(lái)巨大商機(jī)。那么很多電子行業(yè)的生產(chǎn)企業(yè)在...
2012-10-24
半導(dǎo)體 三極管
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TDK的熱輔助記錄實(shí)現(xiàn)每平方英寸1.5Tbit
TDK公開(kāi)了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開(kāi)發(fā)成果。通過(guò)使用采用近場(chǎng)光的熱輔助記錄方式的磁頭技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度，誤碼率（BER）為10-2。
2012-10-24
TDK 磁頭 硬盤
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