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羅姆開始量產SiC制SBD
羅姆的SiC功率元件終于踏上了量產之路。具體就是，輸出電流為10A的SiC肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS110A系列”從4月下旬開始了量產供貨。羅姆從2005年開始供貨SiC制SBD的工程樣品，但量產“尚為首次”（該公司）。
2010-05-14
SiC SBD
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ACNV2601：Avago推出適合高絕緣電壓應用的10MBd數字光電耦合器
Avago Technologies(安華高科技)宣布推出具備高絕緣電壓規格的10MBd數字光電耦合器，適合電源和高功率電機控制應用。Avago是為通信、工業和消費類等應用領域提供模擬接口零組件的領導廠商。
2010-05-13
ACNV2601 Avago 高絕緣電壓 光電耦合器
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電子元件細分行業是產業升級關鍵
集成電路等電子元器件細分行業，是產業結構升級推進的關鍵，制約著國內信息產業建設。
2010-05-13
電子元件 封裝 通富微電 集成電路 BAG
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安森美半導體榮獲龍旗控股頒發 “優秀供應商”獎
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ONNN )宣布榮獲全球領先的無線通訊技術產品和服務提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發的“2009年度優秀供應商”獎。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產品 “優秀供應商”獎
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ST發布高性能功率封裝 可提高MDmesh V功率密度
功率半導體廠商意法半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法半導體最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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英飛凌推出大幅延長IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術
英飛凌推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
英飛凌 IGBT .XT技術
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英飛凌與三菱電機簽署協議 攜手服務功率電子行業
英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
2010-05-11
英飛凌 三菱電機 功率電子 SmartPACK SmartPIM IGBT
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被動元件的交貨周期將繼續延長
2010年4月，被動電子元件的交貨期繼續延長，由于需求的增長導致供應鏈持續緊張。根據Paumanok Publications, Inc公司的調查，就電容、線性電阻和分立電感產品線中的重點14類被動元件來說，通過分析2010年3月10日和4月25日的數據，我們注意到平均每45天供貨周期就延長4%，但是特定產品線的情況更為嚴...
2010-05-10
被動元件 交貨周期 電阻
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